テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウムの基本特性
| 外観 | 白色固体 |
| 分子量 | 267.53 |
| 融点 | 57～60℃(点灯) |
| 沸点 | 80℃ 0.1mm |
| 保管条件 | 水のないエリア |
| 溶解性 | 有機溶剤には溶けますが、水には溶けません。 |
| 純度 | 99%、Zr-99.9999% |
| パッケージ情報 | 100g、500g、1kg、またはカスタマイズされた |
テトラキス (ジメチルアミノ) ジルコニウムの主な特徴
高純度かつ不純物含有量が少ない
テトラキス (ジメチルアミノ) ジルコニウムは、不活性雰囲気下での高精度蒸留によって製造され、金属不純物のレベルが極めて低いことが保証されます。極めて高純度が要求される半導体プロセスに適しています。
優れた揮発性と熱安定性
この化合物は比較的低温で蒸発し、ALD および CVD プロセス中の効率的な輸送と安定した分解を確保し、膜の均一性を向上させます。
さまざまな酸素源との高い適合性
テトラキス (ジメチルアミノ) ジルコニウムは、H2O、O3、O2 プラズマなどのさまざまな酸化剤と反応して高品質の ZrO2 膜を生成し、優れたプロセス適合性を示します。
幅広いアプリケーションの柔軟性
ZrO2 薄膜の堆積に加えて、ZrN や ZrSiO4 などの材料の調製にも使用できます。 High-k 誘電体材料や高温保護層の作製に最適です。
テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウムの主な用途
原子層堆積 (ALD) プロセス
テトラキス (ジメチルアミノ) ジルコニウムは、ロジック チップ、メモリ チップ、金属酸化物半導体デバイスで広く使用されている高誘電率 ZrO2 薄膜を形成するために一般的に使用される前駆体です。
化学蒸着 (CVD) プロセス
CVD 反応条件下では、TDMAZ は安定して分解して高純度の酸化ジルコニウム コーティングを形成することができ、これは高温断熱コーティングや耐摩耗性フィルムの製造に一般的に使用されます。
光学材料およびセラミック材料
C8H24N4Zr は、透明セラミックや光学コーティング材料の調製におけるジルコニウム源として使用でき、材料の屈折率と安定性を向上させます。
研究と新素材開発
テトラキス (ジメチルアミノ) ジルコニウムは、ナノマテリアルの研究、有機金属フレームワーク (MOF) の構築、および機能性材料の開発でもよく使用されます。
予防
テトラキス (ジメチルアミノ) ジルコニウムは湿気や酸素と容易に反応するため、窒素またはアルゴン下で乾燥した密閉容器に保管する必要があります。
ご使用の際は保護手袋、保護メガネ、保護服を着用し、直接皮膚に触れないようにしてください。
漏れた場合は、不活性吸収材 (珪藻土など) で覆い、換気された状態で取り扱ってください。
裸火との接触を避けてください。火災を消すときは、粉末消火器または CO₂ 消火器を使用してください。水を使用しないでください。
残留物は収集して密封し、有害廃棄物処理の資格のあるユニットに引き渡す必要があります。
よくある質問
1. テトラキス (ジメチルアミノ) ジルコニウムの主な用途は何ですか?
これは主に、高品質の ZrO2 薄膜を堆積するための ALD および CVD プロセスにおける金属前駆体として使用されます。半導体、電子材料、光学コーティングなどの幅広い分野で応用されています。
2. C8H24N4Zr は他の金属前駆体と一緒に使用できますか?
はい。混合酸化物または複合薄膜を調製するために、Hf および Ti ベースの有機金属前駆体と組み合わせて使用されることがよくあります。
3. この製品を輸送する際に注意すべきことは何ですか?
輸送の際は、直射日光や振動を避け、防爆・防湿梱包を行ってください。航空輸送は危険物輸送基準に準拠する必要があります (国連番号は MSDS から確認できます)。
テトラキス (ジメチルアミノ) ジルコニウムの詳細または購入については、電子メールでお気軽にお問い合わせください jomin@wolfachem.com.
